1 項目背景
在中美貿易（yì）戰摩擦（cā）加劇的背景下，對於半導體（tǐ）材料（liào）自主控製權的爭（zhēng）奪已經愈演愈烈。尤其是近幾 年我國新（xīn）建產能成為（wéi）全球晶圓廠的主要增量，但（dàn）是製約半導體產業做強的上遊關鍵原材料和生產設備 仍然幾乎被美國和日本的公司所壟斷（duàn），如今西方多家對中國科技尤其是芯（xīn）片（piàn）產業的（de）進一（yī）步封鎖，對於 我國半導體行業發展的打擊幾乎是一劍封喉，因此半導體材料（liào）國產化（huà）戰（zhàn）略地位凸顯，在材料領（lǐng）域進口 替代進程加速是大（dà）勢所（suǒ）趨。
2 產品說明
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一個（gè）化（huà）學腐（fǔ）蝕和機械摩擦的結合（hé）。是目前最 為普遍（biàn）的半導體材料表麵平（píng）整技術，兼收了機械摩擦和（hé）化學腐蝕的優點，從（cóng）而避免了由單（dān）純機械拋光 造成的表麵損傷和由（yóu）單純化學拋光易造成的拋光（guāng）速度（dù）慢、表麵平整度和拋光一致性差等（děng）缺點（diǎn）。可以獲 得比較完美的（de）晶片表麵。
國際上普（pǔ）遍認為，器件（jiàn）特征尺寸在0.35μm以下時，必須進行全局平麵化以保證光刻（kè）影像傳遞的（de）精 確度（dù）和分辨率，而CMP是目前幾乎唯一的可以提供全局平麵（miàn）化的技（jì）術。其設備作用原理圖如下：
研磨液：研磨時添加的液體狀物質，顆粒大小跟研磨後的刮（guā）傷等缺（quē）陷有關，顆粒越大對（duì）晶片的損 傷越大，顆粒越小越好。基本形式是由納米粉體拋光劑和一個堿性組分水溶液組成，顆粒的大小1-
100nm，濃度1.5%-50%，堿性（xìng）組成一般是KOH，氨或有機胺，pH為9.5-11。
由於氣相（xiàng）二氧化（huà）矽的高純度、可控製的原始納米粒（lì）徑和粒徑分布等，使得氣相sio2成（chéng）為氧化物拋 光研（yán）磨液（yè）中的主要磨料。
3 項目原料：
金屬矽粉、鹽酸、氫氣。 年產1000噸（dūn）納米氣相鈦白粉項目 年產20000噸特種紙專用輕質碳酸鈣項 目年產1000噸BIPB（無味DCP）項目 持續研發
4、項目配套（tào）：
化工產業（yè）園區、蒸汽、電力、工業水。
5、技術優勢
專利：一種氣相法生產（chǎn）二氧化矽及金（jīn）屬氧化物的設備
專利：一種生產高純三氯氫矽和四氯化矽的裝（zhuāng）置及工藝
6、項目總投資1.5億元。
7、項目占地：30畝
8、經濟效益
