CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一（yī）個（gè）化學腐蝕和機械（xiè）摩擦的結合。是目前較為普遍的半導體材料表麵平整技術，兼收了機械摩擦和化學腐蝕的優點，從而避（bì）免了由單純機械（xiè）拋光（guāng）造成的表麵損傷（shāng）和由單純化學拋（pāo）光易造成（chéng）的拋光速度慢、表麵平（píng）整度和拋光一致性（xìng）差（chà）等缺點。可以獲得比較完美的晶片表麵。
國際上普遍認為，器（qì）件（jiàn）特征尺寸在0.35μm以下時，必須進行全局平麵化以保證光刻影像傳遞的精確度和分辨率，而CMP是目前（qián）可以提供全局平（píng）麵化的技術。其設備作用原理（lǐ）圖如下：
研磨液：研磨時添加的液體狀物質，顆粒大小跟研磨後的刮傷等缺陷有關，顆粒越大對晶片（piàn）的（de）損傷越大，顆粒越小越好。基本形式是由納米粉體拋光劑和一個堿性組分水溶液組成，顆粒的大小1-100nm，濃度1.5%-50%，堿性組成一般（bān）是KOH，氨或有機胺，pH為9.5-11。
由於氣相二氧化矽的高純度、可控製的原始（shǐ）納米粒徑和粒徑分布等，使得氣相sio2成為氧化物拋光研（yán）磨液中的主要磨料。
本項目經過專有工藝生產的CMP氣矽對打破國外品（pǐn）牌對研磨液用氣矽的壟斷地位，對中國芯片全產業鏈的（de）發展貢獻（xiàn），具有十分重要意義。
